During the implantation the disc to which the wafers are fixed rotates at a speed of approx. 900 U / min.
At the same time the chamber ( with a number of X heaves ) is moved up and down, so that a homogeneous implantation is ensured.
During the implantation the ion currency is measured by a slit in the disc in a second Faraday cup located behind it.
www.rubion.rub.deWährend der Implantation wird die Disc, auf der die Wafer befestigt sind, mit einer Geschwindigkeit von ca. 900 U / min gedreht.
Gleichzeitig wird die Kammer ( mit einer Anzahl von X Hüben ) auf und ab bewegt, so dass eine homogene Implantation erfolgt.
Durch einen Schlitz in der Disc wird der Ionenstrom während der Implantation in einem dahinter befindlichen weiteren Faraday-Cup gemessen.
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