In comparison with TFTs made from amorphous silicon poly-silicon TFTs also have a better stability under long-term DC bias stress, which is a central point when used in displays based on organic LEDs ( OLEDs ).
The higher charge carrier mobility in comparison with amorphous silicon and the fact that poly-silicon based TFT processes allow both n-channel and p-channel transistors, furthermore facilitates the realisation of displays with additional integrated circuit components like integrated driving circuits.
Fabrication and Characterisation of Poly-Crystalline Silicon Layers
www.igm.uni-stuttgart.deTFTs aus polykristallinem Silizium besitzen im Vergleich mit solchen aus amorphem Silizium zudem eine bessere Stabilität bei Langzeitbelastung mit Gleichspannungen, was ein zentraler Punkt beim Einsatz in Bildschirmen auf Basis organischer Leuchtdioden ( OLEDs ) ist.
Die im Vergleich mit amorphem Silizium höhere Ladungsträgerbeweglichkeit und die Tatsache, dass auf Basis von Poly-Silizium nicht nur n-Kanal sondern auch p-Kanal Transistoren gebaut werden können, erleichtert zudem die Realisierung von Anzeigen mit zusätzlichen integrierten Schaltungskomponenten wie etwa integrierten Ansteuerschaltungen.
Herstellung und Charakterisierung von Schichten aus polykristallinem Silizium
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