Beim Einsatz der Replacement-Gate-Technologie werden die Metall-Nitride mittels ALD abgeschieden, da kleinere Strukturgrößen ein konformes Schichtwachstum erfordern.
Zur weiteren Strukturierung von p-FET-und n-FET ist eine Ätz-Stoppschicht innerhalb des Metall-Gate-Dünnschichtstapels erforderlich.
Das Fraunhofer IPMS-CNT hat sowohl die Abscheidung einer Tantalnitrid-basierten Ätzstoppschicht als auch die Diffusionsbarriere für 300 mm Vertikalofen-ALD entwickelt.
www.ipms.fraunhofer.deUsing the Replacement Gate technology, metal nitrides are deposited by ALD, as the small feature sizes require conformal film growth.
For further structuring of pFET and nFET, an etch stop layer is required within the metal gate film stack.
The deposition of a tantalum nitride based etch stop layer and diffusion barrier via 300 mm batch furnace ALD was developed at Fraunhofer IPMS-CNT.
www.ipms.fraunhofer.deEmbedded Memories Gate-Längen-Skalierung:
MFIS-FET Konzept verglichen mit HP-logic.
Si:HfO2 schließt die Skalierungslücke im 28 nm Technologieknoten.
www.ipms.fraunhofer.deFuture Ferroelectric Memories
Gate length scaling of MFIS-FET concepts compared to HP-Iogic.
Si:HfO2 closes the scaling gap at the 28 nm node.
www.ipms.fraunhofer.deBrainScaleS website
Diese Arbeit ist Teil des EU FET Projektes BrainScaleS (web).
(Juni 2010) Bachelorarbeit Telematik
www.xsol.atBrainScaleS website
This work is part of the EU FET project BrainScaleS (webpage).
(June 2010) Bachelor’s Thesis
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