Das Fraunhofer IIS kann mit seinen bereits entwickelten Leistungsverstärkern hohe Leistungen von 50 oder 100 Watt im Hochfrequenzbereich erzielen.
Die wichtigsten Komponenten für den Entwurf von Schaltverstärkern sind LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor), Feldeffekttransistoren und zunehmend auch GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor), die in Kombination mit anderen Bauteilen komplexe und besonders effiziente Schaltungen ergeben.
Hierbei liegt das Hauptaugenmerk auf der Linearisierung der Verstärker.
www.iis.fraunhofer.deFraunhofer IIS reaches 50 to 100 watts in the high frequency range.
Key components for the design of switch-mode power amplifiers are LDMOS field effect transistors and increasingly also GaN HEMT transistors.Combined with other components, the result are complex and highly efficient circuits.
Linearization is required for high-efficiency switch-mode amplifiers.
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