Da neben dem Hystereseverlust auch der Wirbelstromverlust verringert werden soll, werden bei netztypischen Frequenzen widerstandserhöhende Legierungszusätze wie Silizium und Aluminium (bei Eisenlegierungen) verwendet.
Mesatransistoren wurden in der Anfangszeit zunächst aus monolithischem Germanium hergestellt, welches auch eine höhere Ladungsträgerbeweglichkeit als Silizium aufweist.
Zahlreiche Hersteller übernahmen die Idee für Transistoren aus Germanium und vor allem aus Silizium, da sie in ihr eine gute Alternative zu den Mikrolegierungs- (engl.
