Viele Alterungsprozesse lassen sich durch erhöhte Temperatur (höher als Raumtemperatur oder als vorgeschriebene maximale Lagertemperatur) sowie durch physikalische und/oder chemische Einflüsse beschleunigen oder verlangsamen.
Ein typischer Wert für die Unterschwellsteilheit eines verkleinerten MOSFETs bei Raumtemperatur ist ca. 70 Millivolt pro Dekade, also etwas geringer aufgrund von Kurzkanaleffekten.
Jedoch polymerisieren aliphatische Epoxidharze bei Raumtemperatur nur sehr langsam, sodass meist höhere Temperaturen und geeignete Beschleuniger notwendig sind.