Damit Information gezielt gespeichert werden kann, müssen jedoch Ladungen auf das Floating-Gate bzw. auf die Charge-Trapping-Struktur gebracht und wieder entfernt werden können.
Hierbei bewirkt die UV-Strahlung eine Freisetzung von Ladungsträgern im Floating-Gate aus Polysilizium, die freiwerdenden Elektronen haben genug Energie, um die Potentialbarriere des Siliziumdioxid-Dielektrikums zu überwinden und abzufließen.
Irgendwann ist die Isolation durch die Oxidschicht nicht mehr gegeben, die Elektronen bleiben nicht mehr auf dem Floating-Gate gefangen, und die auf der Speicherzelle gespeicherte Information geht verloren.
