Im ersten Prozessabschnitt wird ein n-dotierter Silizium-Einkristall-Wafer thermisch oxidiert, um ein gut 2 µm dickes „Feldoxid“ für die Isolation der Bauelemente zu erzeugen.
Wird die Temperatur weiter erhöht, verliert der Halbleiter seinen Charakter als n-dotiert oder p-dotiert, da zunehmend mehr Ladungsträger durch die intrinsische Ladungsträgergeneration erzeugt werden.